局部放电检测仪检测缺陷部位和缺陷类型判断

一、局部放电检测仪（也称为局部放电检测仪）缺陷部位判断依据

（1）多传感器定位

利用时延方法实现空间定位，在疑似故障部位利用多个传感器同时测量，并以信号首先到达的传感器作为触发信号源，就可以得到超声波从放电源至各个传感器的传播时间。再根据超声波在设备媒质中的传播速度和方向，就可以确定放电源的空间位置。

（2）单传感器定位

移动传感器，测试气室不同的部位，找到信号的大点，对应的位置即为缺陷点，通过两种方法判断缺陷在罐体或中心导体上。

方法一，通过调整测量频带的方法。将带通滤波器测量频率从100kHz减小到50kHz。如果信号幅值明显减小，则缺陷位置应在壳体上。信号水平基本不变，则缺陷位置应在中心导体上。

方法二，如果信号水平的大值在罐体表面周线方向的较大范围出现，则缺陷位置应在中心导体上。如果大值在一个特定点出现，则缺陷位置应在壳体上。

二、局部放电检测仪缺陷类型判断依据

（1）自由金属微粒

对于运行中的设备，微粒信号的幅值：背景噪声。

（2）电晕放电

毛刺一般在壳体上，但导体上的毛刺危害更大，只要信号高于背景值，都是有害的，应根据工况酌情处理，在耐压过程中发现毛刺放电现象，即便低于标准值，也应进行处理。

（3）悬浮电位

电位悬浮一般发生在断路器气室的屏蔽松动，PT/CT气室绝缘支撑松动或偏移，母线气室绝缘支撑松动或偏移，气室连接部位接插件偏离或螺栓松动等，设备内部只要形成了电位悬浮，就是危险的，应加强监测，有条件就应及时处理。对于126kV GIS，如果100Hz信号幅值远大于50Hz信号幅值，且Vpeak＞10mV，应缩短检测周期并密切监测其增长量。如果Vpeak＞20mV，应停电处理；对于363kV和550kV及以上设备，应提高标准。

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